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元件参数资料
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参数目录46514
> BYG21M-E3/TR DIODE 1.5A 1000V 120NS DO-214AC
型号:
BYG21M-E3/TR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay General Semiconductor
描述:
DIODE 1.5A 1000V 120NS DO-214AC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
BYG21M-E3/TR PDF
标准包装
1
系列
-
二极管类型
雪崩
电压 - (Vr)(最大)
1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io)
1.5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.6V @ 1.5A
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)
120ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
1µA @ 1000V
电容@ Vr, F
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
DO-214AC,SMA
供应商设备封装
DO-214AC(SMA)
包装
标准包装
其它名称
BYG21M-E3/GIDKR
查看BYG21M-E3/TR代理商
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